Вакарюк, Т.Є.; Громовой, Ю.С.; Данько, В.А.; Дорожинський, Г.В.; Зиньо, С.А.; Індутний, І.З.; Самойлов, А.В.; Ушенін, Ю.В.; Христосенко, Р.В.; Шепелявий, П.Є.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких ...